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开关电源损耗计算

电子发烧友网 ? 2019-07-22 14:16 ? 次阅读

开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。

与功率开关有关的损耗

功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分:导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通,且驱动和开关波形已经稳定以后,功率开关处于导通状态时的损耗;开关损耗是出现在功率开关被驱动,进入一个新的工作状态,驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。这些阶段和它们的波形见图1。

导通损耗可由开关两端电压和电流波形乘积测得。这些波形都近似线性,导通期间的功率损耗由式(1)给出。

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控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的,设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式(2a)和式(2b)给出,通过基极或栅极过电流驱动,确保由外部元器件而不是功率开关本身对集电极或漏极电流进行控制。

电源开关转换期间的开关损耗就更复杂,既有本身的因素,也有相关元器件的影响。与损耗有关的波形只能通过电压探头接在漏源极(集射极)端的示波器观察得到,交流电流探头可测量漏极或集电极电流。测量每一开关瞬间的损耗时,必须使用带屏蔽的短引线探头,因为任何有长度的非屏蔽的导线都可能引入其他电源发出的噪声,从而不能准确显示真实的波形。一旦得到了好的波形,就可用简单的三角形和矩形分段求和的方法,粗略算出这两条曲线所包围的面积。例如图1的开通损耗可用式(3)计算。

这个结果只是功率开关开通期间的损耗值,再加上关断和导通损耗可以得到开关期间的总损耗值。

与输出整流器有关的损耗

在典型的非同步整流器开关电源内部的总损耗中,输出整流器的损耗占据了全部损耗的40%-65%。所以理解这一节非常重要。从图2中可看到与输出整流器有关的波形。

整流器损耗也可以分成三个部分:开通损耗、导通损耗、关断损耗。

整流器的导通损耗就是在整流器导通并且电流电压波形稳定时的损耗。这个损耗的抑制是通过选择流过一定电流时最低正向压降的整流管而实现的。PN二极管具有更平坦的正向V-I特性,但电压降却比较高(0.7~1.1V);肖特基二极管转折电压较低(O.3~0.6V),但电压一电流特性不太陡,这意味着随着电流的增大,它的正向电压的增加要比PN二极管更快。将波形中的过渡过程分段转化成矩形和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个损耗。

分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。

开通期间,过渡过程是由整流管的正向恢复特性决定的。正向恢复时间tfrr是二极管两端加上正向电压到开始流过正向电流时所用的时间。对于PN型快恢复二极管而言,这个时间是5~15ns。肖特基二极管由于自身固有的更高的结电容,因此有时会表现出更长的正向恢复时间特性。尽管这个损耗不是很大,但它能在电源内部引起其他的问题。正向恢复期间,电感变压器没有很大的负载阻抗,而功率开关或整流器仍处于关断状态,这使得储存的能量产生振荡,直至整流器最终开始流过正向电流并钳位功率信号。

关断瞬间,反向恢复特性起主要作用。当反向电压加在二极管两端时,PN二极管的反向恢复特性由结内的载流子决定,这些迁移率受限的载流子需要从原来进入结内的反方向出去,从而构成了流过二极管的反向电流。与此相关的损耗可能会很大,因为在结区电荷被耗尽前,反向电压会迅速上升得很高,反向电流通过变压器反射到一次侧功率开关,增加了功率管的损耗。以图1为例,可以看到开通期间的电流峰值。

类似的反向恢复特性也会出现在高电压肖特基整流器中,这一特性不是由载流子引起的,而是由于这类肖特基二极管具有较高的结电容所致。所谓高电压肖特基二极管就是它的反向击穿电压大于60V。

与滤波电容有关的损耗

输入输出滤波电容并不是开关电源的主要损耗源,尽管它们对电源的工作寿命影响很大。如果输入电容选择不正确的话,会使得电源工作时达不到它实际应有的高效率。

每个电容器都有与电容相串联的小电阻和电感。等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)是由电容器的结构所导致的寄生元件,它们都会阻碍外部信号加在内部电容上。因此电容器在直流工作时性能最好,但在电源的开关频率下性能会差很多。

输入输出电容是功率开关或输出整流器产生的高频电流的唯一来源(或储存处),所以通过观察这些电流波形可以合理地确定流过这些电容ESR的电流。这个电流不可避免地在电容内产生热量。设计滤波电容的主要任务就是确保电容内部发热足够低,以保证产品的寿命。式(4)给出了电容的ESR所产生的功率损耗的计算式。

不但电容模型中的电阻部分会引起问题,而且如果并联的电容器引出线不对称,引线电感会使电容内部发热不均衡,从而缩短温度最高的电容的寿命。

附加损耗

附加损耗与所有运行功率电路所需的功能器件有关,这些器件包括与控制IC相关的电路以及反馈电路。相比于电源的其他损耗,这些损耗一般较小,但是可以作些分析看看是否有改进的可能。

首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流,使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流,那么电路会有高达3W的持续的损耗,损耗大小取决于输入电压。

第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管,则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。功率晶体管的典型增益在5-15之间,这意味着如果是10A的峰值电流,就要求0.66~2A的基极电流。基射极之间有0.7V压降,如果基极电流不是从非常接近0.7V的电压取得,则会产生很大的损耗。

功率MOSFET驱动效率比双极型功率晶体管高。MOSFET栅极有两个与漏源极相连的等效电容,即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电,关断MOSFET时又对地放电。栅极驱动损耗计算由式(5)给出。

对这个损耗,除了选择Ciss和Crss值较低的MOSFET,从而有可能略微降低最大栅极驱动电压以外,没有太多的办法。

磁性元件有关的损耗

对一般设计工程师而言,这部分非常复杂。因为磁性元件术语的特殊性,以下所述的损耗主要由磁心生产厂家以图表的形式表示,这非常便于使用。这些损耗列于此处,使人们可以对损耗的性质作出评价。

与变压器和电感有关的损耗主要有三种:磁滞损耗、涡流损耗和电阻损耗。在设计和构造变压器和电感时可以控制这些损耗。

磁滞损耗与绕组的匝数和驱动方式有关。它决定了每个工作周期在B-H曲线内扫过的面积。扫过的面积就是磁场力所作的功,磁场力使磁心内的磁畴重新排列,扫过的面积越大,磁滞损耗就越大。该损耗由式(6)给出。

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如公式中所见,损耗是与工作频率和最大工作磁通密度的二次方成正比。虽然这个损耗不如功率开关和整流器内部的损耗大,但是处理不当也会成为一个问题。在100kHz时,Bmax应设定为材料饱和磁通密度Bsat 的50%。在500kHz时,Bmax应设定为材料饱和磁通密度Bsat 的25%。在1MHz时,Bmax应设定为材料饱和磁通密度Bsat 的10%。这是依据铁磁材料在开关电源(3C8等)中所表现出来的特性决定的。

涡流损耗比磁滞损耗小得多,但随着工作频率的提高而迅速增加,如式(7)所示。

涡流是在强磁场中磁心内部大范围内感应的环流。一般设计者没有太多办法来减少这个损耗。

电阻损耗是变压器或电感内部绕组的电阻产生的损耗。有两种形式的电阻损耗:直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值二次方的乘积所决定。集肤效应是由于在导线内强交流电磁场作用下,导线中心的电流被“推向”导线表面而使导线的电阻实际增加所致,电流在更小的截面中流动使导线的有效直径显得小了。式(8)给出了这两个损耗在一个表达式中的计算式。

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漏感(用串联于绕组的小电感表示)使一部分磁通不与磁心交链而漏到周围的空气和材料中。它的特性并不受与之相关的变压器或电感的影响,因此绕组的反射阻抗并不影响漏感的性能。

漏感会带来一个问题,因为它没有将功率传递到负载,而是在周围的元件中产生振荡能量。在变压器和电感的结构设计中,要控制绕组的漏感大小。每一个的漏感值都会不同,但能控制到某个额定值。

一些减少绕组漏感的通用经验法则是:加长绕组的长度、离磁心距离更近、绕组之间的紧耦合技术,以及相近的匝比(如接近l:1)。对通常用于DC-DC变换器的E-E型磁心,预计的漏感值是绕组电感的3%~5%。在离线式变换器中,一次绕组的漏感可能高达绕组电感的12%,如果变压器要满足严格的安全规程的话。用来绝缘绕组的胶带会使绕组更短,并使绕组远离磁心和其他绕组。

后面可以看到,漏感引起的附加损耗可以被利用。

在直流磁铁的应用场合,沿磁心的磁路一般需要有一个气隙。在铁氧体磁心中,气隙是在磁心的中部,磁通从磁心的一端流向另一端,尽管磁力线会从磁心的中心向外散开。气隙的存在产生了一块密集的磁通区域,这会引起临近线圈或靠近气隙的金属部件内的涡流流动。这个损耗一般不是很大,但很难确定。

开关电源内的主要寄生参数概述

寄生参数是电路内部实际元件无法预料的电气特性,它们一般会储存能量,并对自身元件起反作用而产生噪声和损耗。对设计者来说,分辨、定量、减小或利用这些反作用是一个很大的挑战。

在交流情况下,寄生特性更加明显。典型的开关电源内部有两个主要的、存在较大交流值的节点,第一是功率开关的集电极或漏极;第二是输出整流器的阳极。必须重点关注这两个特殊的节点。

变换器内的主要寄生参数

在所有开关电源中,有一些常见的寄生参数,在观察变换器内主要交流节点的波形时,可以明显看到它们的影响。有些器件的数据资料中,甚至给出了这些参数,如MOSFET的寄生电容。两种常见变换器的主要寄生参数见图3。

有些寄生参数已明确定义,如MOSFET的电容,其他一些离散的寄生参数可以用集中参数表示,使建模变得更加容易。试图确定那些没有明确定义的寄生参数的值是非常困难的,通常用一个经验值确定,换句话说,在进行软开关设计时,元器件的选择以能得到最佳结果为原则来进行。在线路图中,合适的地方放置寄生元件非常重要,因为电气支路只在变换器工作的一部分时间内起作用。例如,整流器的结电容只有在整流器反向偏置时会很大,而当二极管正向偏置时就消失了。表l列出了一些容易确定的寄生参数和产生这些参数的元器件,以及这些值的大致范围。某些特殊的寄生参数值可以从特定元器件的数据资料中获得。

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印制电路板(PCB)对寄生参数的影响无处不在,好的PCB布局规则可以尽量减少这些影响。

流过尖峰电流的印制线对由任一印制线所产生的电感和电容很敏感,所以这些线必须短而粗。存在交流高电压的PCB焊点,如功率开关的漏极或集电极或者整流管的阳极,极易与临近印制线产生耦合电容,使交流噪声耦合到邻近的印制线中。通过“过孔”连接可以使交流信号印制线的上下层都流过同样的信号。其余寄生参数的影响一般可归到相邻的寄生元件中。

搞清楚构成一个典型变换器的每个元器件上的寄生参数的性质,将有助于确定磁性元件参数、设计PCB、设计EMI滤波器等。这是所有开关电源设计中最难的一部分。

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原文标题:开关电源内部的各种损耗的研究!!!

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基于13001的开关电源电路图

该电路由开关电源和输出电路两部分组成。当接通电源后,220V交流通过D2整流,C1滤波,通过电阻R2....
的头像 陈翠 发表于 02-14 07:04 ? 1409次 阅读
基于13001的开关电源电路图

如何降低开关电源中产生的EMI辐射

越来越多的应用必须通过EMI标准,制造商才获得商业转售批准。开关电源意味着器件内部有电子开关,EMI....
发表于 02-13 08:47 ? 430次 阅读
如何降低开关电源中产生的EMI辐射

开关电源如何抑制纹波和减小高频噪声

对于低电压供电的嵌入式主板而言,一般对纹波和噪声都有比较高的要求,不会直接使用开关电源供电,而是在开....
的头像 陈翠 发表于 02-12 16:18 ? 690次 阅读
开关电源如何抑制纹波和减小高频噪声

开关电源为什么需要高频变压器

工频变电压器的工作频率为交流电源的频率,频率比较低,能量转换效率低,做出来的电源体积相对较大;开关电....
的头像 陈翠 发表于 02-12 15:14 ? 1079次 阅读
开关电源为什么需要高频变压器

开关电源输出端并个电阻的作用

开关电源与线性电源不同,它通过PWM信号来控制功率管的关断和导通来实现对输入的直流电的“斩波”,再通....
的头像 陈翠 发表于 02-12 15:12 ? 1381次 阅读
开关电源输出端并个电阻的作用

开关电源EMC设计的原则和规律概述

现在,在电子产品的设计中,功耗己成为一个很重要的指标,开关电源也因高效、小型等特性而被越来越得到广泛....
发表于 01-24 16:51 ? 211次 阅读
开关电源EMC设计的原则和规律概述

如何提高开关电源待机效率

根据损耗分析可知,切断启动电阻,降低开关频率,减小开关次数可减小待机损耗,提高待机效率。
的头像 陈翠 发表于 01-22 16:50 ? 515次 阅读
如何提高开关电源待机效率

可调分流基准芯片TL431的特性及在功能电路中的应用说明

德州仪器公司(TI)生产的TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用....
的头像 Wildesbeast 发表于 01-21 18:05 ? 1402次 阅读
可调分流基准芯片TL431的特性及在功能电路中的应用说明

开关电源的EMI实际整改策略解析

EMC(Electromagnetic Compatibility)是电磁兼容,它包括EMI(电磁骚....
发表于 01-21 16:31 ? 250次 阅读
开关电源的EMI实际整改策略解析

PCB布局设计需要遵循哪些规则

Webench选项包括对体积或效率的设计最佳化,这些均为单一选项。即高效率要求低开关频率(降低FET....
发表于 01-19 17:17 ? 299次 阅读
PCB布局设计需要遵循哪些规则

13003开关电源电路图

在开关电源电路中,13003三极管作为开关管使用很多,常见用于小功率开关电源电路中,如手机充电器中,....
的头像 陈翠 发表于 01-17 09:55 ? 3386次 阅读
13003开关电源电路图

如何实现无外接电容型LDO环路的稳定性

受益于半导体行业的飞速发展,各类电子产品已经融入到人们的日常生活,特别是笔记本电脑、平板电脑、智能手....
发表于 01-14 11:49 ? 264次 阅读
如何实现无外接电容型LDO环路的稳定性

开关电源变压器参数_开关电源变压器结构组成

本文主要介绍了开关电源变压器参数及开关电源变压器的结构组成。
发表于 01-14 11:13 ? 511次 阅读
开关电源变压器参数_开关电源变压器结构组成

开关电源变压器绕制方法_开关电源变压器设计方法

本文主要阐述了开关电源变压器绕制方法及设计方法。
发表于 01-14 10:59 ? 864次 阅读
开关电源变压器绕制方法_开关电源变压器设计方法

整流桥的测量方法

在开关电源或工业设备当中整流桥是一个非常重要的元件,它承担着把交流电转换成直流电的任务,他是将4个~....
的头像 陈翠 发表于 01-11 09:44 ? 1099次 阅读
整流桥的测量方法

怎样看出变频器好坏?

如果变频器控制电机转速波动超过了5%,也未必意味着变频器就是坏了的,可能只是一些参数没有调整好引起的....
发表于 01-09 10:02 ? 439次 阅读
怎样看出变频器好坏?

TCL液晶电视开关电源板的维修实例详细说明

打开电源开关,指示灯亮,按二次开机指示灯熄灭,同时送出开机信号(5V左右的高电平)到电源板开机控制电....
发表于 01-03 08:00 ? 496次 阅读
TCL液晶电视开关电源板的维修实例详细说明

开关电源PCB排版的基本规则解析

在数字电路排版中,许多数字芯片可以通过PCB软件来自动排列,且芯片之间的连接线可以通过PCB软件来自....
发表于 01-02 15:14 ? 312次 阅读
开关电源PCB排版的基本规则解析

LED路灯电源外部防雷与内部防雷相结合 在雷雨天气能正常工作

适用于路灯照明的LED开关电源产品,目前已经成为LED电源新产品研发的重要分支,也是很多工程师们需要....
发表于 01-02 08:33 ? 302次 阅读
LED路灯电源外部防雷与内部防雷相结合 在雷雨天气能正常工作

开关电源的EMC问题分析与设计方案

从上面的三要素中,我们对EMI的传播路径:空间耦合和传导耦合比较熟悉;我们实际也是重点在运用上述的理....
发表于 01-01 17:30 ? 481次 阅读
开关电源的EMC问题分析与设计方案

一个开关电源式高耐压恒流源的电路图说明

研制仪器需要一个能在0到3兆欧姆电阻上产生1MA电流的恒流源,用UC3845结合12V蓄电池设计了一....
的头像 Wildesbeast 发表于 01-01 17:03 ? 1002次 阅读
一个开关电源式高耐压恒流源的电路图说明

如何解决二极管的整流问题

电子技术的发展,使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗,但....
发表于 01-01 10:45 ? 622次 阅读
如何解决二极管的整流问题

LY5V04同步整流降压型PWM控制器的数据手册免费下载

是一种同步整流降压型PWM控制器,专为宽输入电压DC/DC开关电源应用而设计,在8V到40V的宽输入....
发表于 12-30 08:00 ? 194次 阅读
LY5V04同步整流降压型PWM控制器的数据手册免费下载

TL494开关电源PWM控制芯片的Multisim仿真资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TL494开关电源PWM控制芯片的Multisim仿真资料免费下载。
发表于 12-30 08:00 ? 525次 阅读
TL494开关电源PWM控制芯片的Multisim仿真资料免费下载

DCDC电路原理的详细资料简介

DC-DC是英语直流变直流的缩写,所以DC-DC电路是某直流电源转变为不同电压值的电路。DC-DC是....
发表于 12-30 08:00 ? 451次 阅读
DCDC电路原理的详细资料简介

TPS564201同步降压稳压器的数据手册免费下载

TPS564201是SOT-23封装的一个简单、易用的4-a同步降压转换器。该设备被优化为在最小外部....
发表于 12-27 08:00 ? 175次 阅读
TPS564201同步降压稳压器的数据手册免费下载

IGBT驱动电路的详细资料说明

随着电力电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多。电子设备的小型化....
发表于 12-26 14:33 ? 551次 阅读
IGBT驱动电路的详细资料说明

直流稳压电源的组成和设计及电脑开关电源的详细资料说明

直流稳压电源是将交流电变换成功率较小的直流电的电路,一般由降压、整流、滤波和稳压等几部分组成(见图1....
发表于 12-23 08:00 ? 394次 阅读
直流稳压电源的组成和设计及电脑开关电源的详细资料说明

精通开关电源设计PDF中文版电子书免费下载

《精通开关电源设计》(图灵程序设计丛书)基于作者多年从事开关电源设计的经验,从分析开关变换器最基本器....
发表于 12-23 08:00 ? 621次 阅读
精通开关电源设计PDF中文版电子书免费下载

STTH1602C高效超快二极管的数据手册免费下载的

双中心抽头整流器适用于开关电源和高频直流-直流转换器。该设备封装在TO-220AB、D2-PAK、T....
发表于 12-23 08:00 ? 248次 阅读
STTH1602C高效超快二极管的数据手册免费下载的

STPS40L45CG系列低功耗肖特基整流器的数据手册免费下载

双中心抽头肖特基势垒整流器设计用于高频开关电源和直流-直流转换器。封装在TO-220AB、TO-24....
发表于 12-23 08:00 ? 244次 阅读
STPS40L45CG系列低功耗肖特基整流器的数据手册免费下载

ECM60UT33交流和直流开放式开关电源的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是ECM60UT33交流和直流开放式电源的数据手册免费下载。
发表于 12-23 08:00 ? 191次 阅读
ECM60UT33交流和直流开放式开关电源的数据手册免费下载

24v 14.6A开关电源的电路图免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是24v 14.6A开关电源的电路图免费下载。
发表于 12-23 08:00 ? 390次 阅读
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DCDC功率变换技术的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是DCDC功率变换技术的详细资料说明包括了:1. 开关电源产品概况,2. ....
发表于 12-20 16:41 ? 246次 阅读
DCDC功率变换技术的详细资料说明

高频开关电源的原理_高频开关电源主要功能

高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源,开关频率一般控....
发表于 12-20 10:45 ? 457次 阅读
高频开关电源的原理_高频开关电源主要功能

使用离线反激变换器设计开关电源的详细资料说明

本文提出了一种实用的基于FPS(Fairchild Power Switch)的离线反激变换器设计准....
发表于 12-20 08:00 ? 130次 阅读
使用离线反激变换器设计开关电源的详细资料说明

THX203H高性能电流模式PWM开关电源控制器的数据手册免费下载

高性能电流模式 PWM 控制器。专为高性价比 AD/DC 转换器设计。在 85V-265V 的宽电压....
发表于 12-20 08:00 ? 163次 阅读
THX203H高性能电流模式PWM开关电源控制器的数据手册免费下载

NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

200CTG是我们新推出的双通道40A 200V超低正向电压沟槽双肖特基整流器。这种新技术可以降低正向压降,而无需平面肖特基整流器的高反向漏电折衷。该平台还可在很宽的温度范围内提供非常稳定的开关特性,是开关电源的理想输出整流器,包括笔记本电脑和上网本适配器,ATX和平板显示器。 特性 用于极低正向电压和低泄漏的基于精细光刻沟槽的肖特基技术 具有特殊功能的快速切换温度稳定性 低功率损耗和低工作温度 实现监管合规的更高效率 低热阻 高浪涌能力 这些器件无铅,无卤素/无BFR 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 08:02 ? 90次 阅读
NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

速整流器设计用于开关电源,逆变器和续流二极管。 特性 超快60纳秒恢复时间 150°C工作结温 环氧树脂符合UL94,V O @ 1/8“ 高温玻璃钝化结 低泄漏量@ 150°C外壳温度 当前降级@案例和环境温度 电隔离。无需隔离硬件。 UL认可文件#E69369 机械特性: 案例:环氧树脂,模压 重量:1.9克(约) 表面处理:所有外表面耐腐蚀,端子引线易于焊接 焊接用铅温度:最高260°C 10秒钟 每个塑料管装运50个单位 标记:U1660 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 02:02 ? 36次 阅读
MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

NCV33152 高速双MOSFET驱动器

2 / MC33152是双同相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS / LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括具有迟滞的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统不稳定运行。 典型应用包括开关电源,DC-DC转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 该器件提供双列直插和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 02:02 ? 30次 阅读
NCV33152 高速双MOSFET驱动器

NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

71是一款高速双低侧MOSFET驱动器。它能够在米勒平台区域提供高达5 A峰值电流的容性负载的大峰值电流,以帮助降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。该设备提供启用功能,为用户提供比各种应用中现有解决方案更好的控制。该器件采用MSOP8-EP封装,SOIC8封装,DFN8 2 mm x 2 mm封装和WDFN8 3 mm x 3 mm封装。 特性 优势 高电流驱动能力(+/- 5 A ) 能够驱动各种MOSFET TTL / CMOS兼容输入,与电源电压无关 在各种应用程序中易于实现 为每个驱动程序启用合并功能 允许用户更好地控制应用程序 引脚与最流行的现有行业标准双MOSFET驱动器兼容 代替现有的插座具有附加功能的额外好处ality 输入电压从4.5V到20V 两个输出可以并联以获得更高的驱动电流 应用 终端产品 开关电源 电信和服务器电源 同步整流器 DC / DC转换器 功率因数校正 电机驱动程序 基站 网络和通信设备 eMeters 汽车信息娱乐系统 摄像机,安防和监控设备 计算和消费类电子产品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 02:02 ? 38次 阅读
NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

MC33151 高速双MOSFET驱动器

1 / MC33151是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS和LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。 典型应用包括开关电源,直流到直流转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 这些器件提供双列直插式和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 引脚输出等效于DS0026和MMH0026 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 ? 37次 阅读
MC33151 高速双MOSFET驱动器

NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

7系列是低压差(LDO)正线性稳压器,能够提供超过1.0 A的输出电流,在800 mA的温度范围内最大压差为1.2 V.该系列包含八个1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V的固定输出电压,无需维持稳压的最小负载要求。还包括可调输出版本,可通过两个外部电阻在1.25 V至18.8 V范围内进行编程。片上微调可将参考/输出电压调整到+/- 1.0%精度。内部保护功能包括输出电流限制,安全工作区补偿和热关断。 NCP1117系列可以在高达20 V的输入电压下工作。器件采用SOT223和DPAK封装。 特性 输出电流超过1.0 A 在800 mA过温时的1.2 V最大压差 固定输出电压为1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V 可调节输出电压选项 无固定电压输出设备的最小负载要求 参考/输出电压调整为+/- 1.0% 电流限制,安全操作和热关断保护 操作至20 V输入 无铅封装可用 应用 消费和工业设备监管点 2.85 V版本的有源SCSI端接 开关电源后置调节 硬盘控制器 电池充电器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 ? 55次 阅读
NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...
发表于 07-30 08:02 ? 219次 阅读
NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 ? 20次 阅读
NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 ? 24次 阅读
NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 ? 28次 阅读
NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...
发表于 07-30 08:02 ? 49次 阅读
NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...
发表于 07-30 07:02 ? 72次 阅读
NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 ? 55次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 ? 135次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

SG3525A PWM控制器

A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 ? 194次 阅读
SG3525A PWM控制器

ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK  符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。 特性 2.5A最大峰值输出电流 宽工作V CC  范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异  轨到轨输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在  V CM   = 1500 V 带迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流  带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK ...
发表于 07-04 12:58 ? 62次 阅读
ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟  50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / μ s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC  范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...
发表于 07-04 12:58 ? 85次 阅读
ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340  栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。    功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟  100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC  范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...
发表于 07-04 12:57 ? 126次 阅读
ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /µ s 在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...
发表于 07-04 12:45 ? 96次 阅读
HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...
发表于 07-04 12:44 ? 51次 阅读
HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器
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