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集成电路产业利好!国家大基金二期募资完成,规模2000亿左右

行业投资 ? 2019-07-26 09:38 ? 次阅读

近日,中国证券报记者从多个独立信源获悉,国家集成电路产业投资基金(二期)(简称“大基金二期”)的募资工作已经完成,规模在2000亿元左右。部分公司正在跟国家大基金接洽,商讨二期投资方式。

去年3月,中国证券报独家报道了大基金二期方案已上报国务院并获批。

在大基金二期投向上,有三种代表性观点:一是认为“跟一期相比会有一些不同,但是大体不会变很多”,“不同”之处的一个表现是大基金二期会投半导体下游的终端应用企业;二是认为重点投向可能更向设计材料设备等倾斜,同时增加下游应用;三是认为投资会集中在应用上,这对整个产业链会有带动。

可见,无论是哪种观点,大基金二期会投应用端是共识。

为什么应用端如此重要?多位业内人士曾告诉中国证券报记者,应用端代表了最真实最前沿的市场需求,在培育引导产业方面,能够有效牵引上游供给能力发展方向。比如作为应用终端的苹果提升了整个手机供应链的水平,类似的,华为保证自身供应体系安全、推进备胎计划过程中,必然会加强与上游芯片等企业合作,引导芯片产能发展。

北京清芯华创投资公司投委会主席陈大同在2018年接受中国证券报记者采访时就曾提过这方面建议:第一,建议大基金应适当放宽投资标的,集成电路下游应用终端平台企业应该获得支持,有利于培育产业环境,拉动市场需求;第二,大基金第一期的子基金投资额度太少,只有100亿元,约7%;应该增加至15%,才能形成以大基金为航母,各具特色的子基金为护卫舰、驱逐舰的舰队,充分发挥大基金的龙头作用。

国家大基金一期的管理人华芯投资在去年10月表示,按照二期基金批复方案要求和国家集成电路产业发展领导小组的总体部署,积极参与二期基金筹备工作组各项工作,努力实现两期基金的无缝衔接,保障重大项目稳步推进、重点企业稳定发展以及产业竞争力持续提升。

万亿级规模

一位接近国家大基金的消息人士曾向记者透露,大基金二期筹资规模超过一期,在1500亿-2000亿元左右。而实际募资达到2000亿元左右,按照1∶3的撬动比,所撬动的社会资金规模在6000亿元左右。

不过,华芯投资去年10月披露的信息显示,从已投企业来看,大基金一期(包含子基金)已投资企业带动新增社会融资(含股权融资、企业债券、银行、信托及其他金融机构贷款)约5000亿元,按照基金实际出资额计算放大比例为1:5。

如果按照1:5的撬动比,大基金二期的资金总额将超过万亿元。

华芯投资表示,大基金投资对撬动社会资金投入、提升行业投资信心发挥了重要作用。按照基金实际出资中,中央财政资金占比计算的放大比例为1:19。从子基金来看,基金所投11支子基金总规模为660亿元,投资项目投融资总额约1700亿元,对基金投资放大比例接近1:12。从基金牵头组建的芯鑫租赁来看,累计向集成电路及半导体企业投放近400亿元,在投资促进融资方面也实现了1:11的放大效果。

华芯投资还称,在基金的引导带动下,国内集成电路行业投融资环境明显改善。以集成电路行业中资金密集型特点最为显著的制造业为例,中国大陆集成电路制造业2014-2017年资本支出总额相比之前四年实现翻倍。从领军企业中芯国际来看,2015年1月获得基金投资后,中芯国际在2015-2017年的资本支出总额约为之前10年(2005-2014年)的总和。基金设立和投资对缓解集成电路行业和骨干企业融资瓶颈问题效果显著。

2012年底,上海市政府联合中微半导体等四家行业企业给国家领导写联名信,后来国家到2014年推出《国家集成电路产业发展规划》,对我国集成电路产业发展进行纲领性布局。

这具有明显的引导象征性意义。一位曾参与过集成电路项目海外并购的国资背景投资人告诉记者,2014年国内集成电路发展势头回温,也吸引了不少海归人才归国,展讯、豪威、澜起等都是那个时间前后决定回到中国。

这位投资人还说,“集成电路尤其是制造端,动辄百亿元或者百亿美元级别的投资才能带动一点水花儿,一般投资人参与门槛太高,从投资回报的角度来说,心里没底,更多还是需要政府来主导。国家大基金,贯彻国家战略,又采取市场手段,对于我国集成电路产业发展起到了很大作用,推动我国集成电路形成科技、产业、金融有效协同发展的态势。”

一位业内人士告诉记者,事实上,“大基金”在设立时的一个重要目的便是发挥对地方政府、社会资金的撬动作用,在直接股权投资之外,也可以同地方、社会资金一起进行投资,形成联动。主要的合作方式有三种:参股地方基金(如北京集成电路制造和装备子基金、上海集成电路制造子基金、武岳峰基金等);参股社会资本(如设立鸿泰基金);与龙头企业共同设立投资基金(如芯动能基金、中芯聚源基金和安芯基金等)。

市场化运作

国家大基金(全称为“国家集成电路产业投资基金股份有限公司”)成立于2014年9月,注册资本987.20亿元,无实控人。截至2018年底,国家大基金资产总计为1159.36亿元,负债总计为4793.87万元,净资产为1158.88亿元。

成立以来,国家大基金一直秉承“市场化运作、专业化管理”的原则进行运营投资,同时坚持国家战略和市场机制有机结合的方针指导基金投资。主要运用多种形式对集成电路行业内企业进行投资,充分发挥国家对集成电路产业发展的引导和支持作用。

国家大基金采取公司制的经营模式,与以往的补贴模式有着本质的不同。

前述国资投资人还表示,与过去“市长说了算”不同,大基金的运作是“市场说了算”,具体哪个项目不做判断,减少了权力寻租灰色地带,市场效率大大提升,同时不是产业公司,只是产业发展的一个推进剂,不会做损害产业链的事情。

从股权上看,国家大基金一期持股5%以上的股东有国家财政部(36.47%)、国开金融有限责任公司(22.29%)、中国烟草总公司(11.14%)、亦庄国投(10.13%)、中国移动(5.06%)、上海国盛(集团)有限公司(5.06%)和武汉金融控股(集团)有限公司(5.06%)。

广发证券表示,国家大基金的投资方式包括:私募股权、基金投资、夹层投资等一级市场和二级市场投资,但不包括风险投资和天使投资。退出方式包括回购、兼并收购、公开上市。

公开数据显示,截至2018年9月12日,国家大基金有效承诺额超过1200亿元,实际出资额达到1000亿元,投资进度与效果均好于预期,到2018年年底要基本完成首期规模的有效承诺,投资进度总体提前9个月。

国家大基金总裁丁文武近日出席活动时表示,产业发展要靠有拼搏精神的企业家,靠睿智投资的资本家,产融结合是非常好的一种方式。“以前大家觉得我们发展产业没有资金,现在发展产业的资金很多,但是这些资金是不是要投入到这个产业中来,这个很关键。”

投向有侧重

整体看,大基金一期的投资已经完成了对国内集成电路产业链的全覆盖。

上述业内人士表示,从资金投向上看,大基金一期偏重于对资金需求度更高的制造环节,并且重点投向了国内龙头企业,例如对中芯国际的承诺投资便达到了约215亿元,长江存储方面达到190亿元,华力微电子约116亿元,其中长江存储项目是最大规模的单笔投资。

在其他领域,投资方向同样秉持偏重龙头企业的原则。比如,封测领域重点投资了长电科技、华天科技和通富微电;设计领域投资了紫光展锐、中兴微电子;设备领域投资了北方华创和中微半导体;材料领域投资了上海硅产业集团、江苏鑫华和安集微电子。

除龙头企业之外,大基金一期对产业链上的重点特色企业也进行了全面布局,例如MEMS传感器方向的耐威科技,直播星芯片方向的国科微,网络交换芯片的苏州盛科网络等。另外值得注意的是大基金一期投向“生态建设”方向的资金接近200亿元,占据了相当的比例。

广发证券今年3月发布的报告显示,目前可根据公开信息统计到的投资项目金额为1047.14亿元,各领域金额分别为:设计(205.90亿元,占比19.7%)、制造(500.14亿元,占比47.8%)、封测(115.52亿元,占比11.0%)、设备(12.85亿元,占比1.2%)、材料(14.15亿元,占比1.4%)、产业生态(198.58亿元,占比9.0%)。

据华芯投资去年10月时的介绍,大基金一期对《国家集成电路产业发展推进纲要》重点产品领域的覆盖率已达到40%左右,基金剩余可用投资资金已不足200亿元,储备项目中涉及存储器(包括长江存储增资和DRAM投资)、光刻机、CPUFPGA等重点产品领域。

丁文武近日公开讲话提到,半导体产业投资不仅要支持设计业,也要支持设备、材料这些短板领域,同时还要支持高端芯片领域,比如CPU、DSP等。“高端芯片具备战略性,可能投资回报时间会很长,大家要耐得住寂寞。”

本文来源:证券时报

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12月18日,中关村发展集团旗下首支园区主导的行业基金—— IC PARK芯创基金正式成立。
的头像 汽车玩家 发表于 12-20 13:59 ? 1101次 阅读
IC PARK芯创基金正式成立,关注中国技术创新

单片机的基础知识及发展趋势分析

芯片在没有开发前,单片机只是具备功能极强的超大规模集成电路,如果赋予它特定的程序,它便是一个最小的、....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-19 17:37 ? 2001次 阅读
单片机的基础知识及发展趋势分析

京仪装备成功研发出国内首台晶圆自动翻转倒片机 成功突破国产化难题

据北京亦庄官方消息,位于北京经开区的北京京仪自动化装备技术有限公司(以下简称“京仪装备”),成功研发....
的头像 半导体动态 发表于 12-19 14:34 ? 1683次 阅读
京仪装备成功研发出国内首台晶圆自动翻转倒片机 成功突破国产化难题

MM74HC02 四路2输入 或 门

02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 15:02 ? 48次 阅读
MM74HC02 四路2输入  或  门

MM74HC00 四路2输入NAND门

00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 14:02 ? 49次 阅读
MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 11:02 ? 35次 阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 08-02 03:02 ? 32次 阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 ? 45次 阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
发表于 08-02 02:02 ? 79次 阅读
MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 ? 115次 阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 ? 25次 阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 08-01 22:02 ? 44次 阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 ? 42次 阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 ? 38次 阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 ? 52次 阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 ? 80次 阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 ? 48次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 ? 60次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 ? 52次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 ? 126次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 ? 78次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 ? 129次 阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 ? 131次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.
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