侵权投诉

三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这么说

章鹰 ? 来源:电子发烧友原创 ? 作者:章鹰 ? 2019-07-25 17:04 ? 次阅读

本站原创,作者:章鹰,电子发烧友执行副主编。

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,未来在新能源(电动汽车、风电、光伏)、工业、电源、变频及IOT设备的需求带动下,呈现稳健增长态势,Yole预测,2017-2021年功率器件市场规模CAGR为5.39%,其中MOSFET(5.23%),IGBT(9.02%),功率模块(6.20%)。英飞凌作为全球功率器件市占率第一的国际大厂,对整个功率器件市场有怎样的前瞻?

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,笔者参加了功率半导体论坛,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级市场经理陈清源就全球半导市场和功率半导体的市场应用热点给出了精彩的分析。

图:英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级市场经理 陈清源

陈清源表示,从1999年到2018年,全球半导体市场规模高速增长,从1490亿美元飙升到4490亿美元。2018年全球半导体保持两位数增长,规模达到4767亿美元,到2019年市场规模将达到4490亿美元,每年都有很大的增长空间。就中国市场而言,半导体产业对整个工业和高科技产业的发展都会带来深远影响。


图:全球半导体市场规模在19年间持续增长,成长曲线十分明显。

笔者查询的资料显示,2018年,中国半导体行业全行业销售预计达到2576.96亿元人民币,比2017年的1945.98亿元增长32.42%,增速较去年的28.15%提高了4.27个百分点。

2016年到2018年,半导体行业市场规模高速成长,2016年到2017年半导体市场增长了20%以上,2017年到2018年成长了10%以上,整个半导体细分包括CPUGPU、记忆体和功率半导体。

陈清源指出,存储设备在2017年市场增长达到60.8%以上,在数据处理和无线通信中占比较大,随着2017年存储价格上涨,数据处理(33.6%)和无线通信(21.9%)在2017年的增幅超过半导体整体增幅(21.5%)。

2019年,手机出货量未见大幅度增长,但手机存储容量成倍增加,提高了半导体在无线通信中的增幅。比如原来手机标配16G内存,现在普遍标配64G和128G。无线通信的基础设施对半导体的消耗则是下跌了20%。未来5G通信到来,手机出货量还有物联网设备都会带来更多的市场想象空间。预计2019到2020年,存储会处于供需平衡阶段,销售额维持小幅度增长。

无线通信、汽车应用和智能家电驱动,功率半导体市场维持稳定增长

陈清源分析说,功率半导体,包括模块和分立器件,其市场容量在全部半导体中占比小于5%,大部分时期维持个位数增长。2017年比2016年市场增长达到13.5%。英飞凌拥有覆盖从5W低功率到几千瓦高功率的产品,能够为终端市场更好地提高电源效率。


图:功率半导体市场容量在2017年到2019年呈现稳步增长。

功率器件在无线充电、通信、汽车、智能家居、机器人领域获得广泛应用,目前主要应用领域的市场分析如下:

1、有线通信增长27.8%,但绝对值占比较小。

3、新能源汽车功率半导体器件使用量大幅增加,纯电动增加尤为明显,汽车电动化进程将带动功率半导体器件产业快速发展。

4、消费领域增长18.3%,来源于手机发货量增长,以及家电产品的变频化,这也是未来几年预测涨幅最大的应用(CAGR 8.1%)。可变频家电的快速放量,将显著提升单位家电中半导体的价值量,

5、数据处理增长了11.9%,用于提升服务器电源的变换效率。

6、无线通讯领域增长了14.1%,来自通讯基础设施的建设。由于5G投资的不确定性,这也是唯一下滑的细分领域。(CAGR -3.3%)

7、工业领域增长9.3%,包括马达驱动,LED照明和太阳能应用。

在分立器件和模块细分市场,英飞凌已连续十五次蝉联市场第一的殊荣,其市场份额不断增加,现已超过排在第二位的公司市场份额的两倍。英飞凌在功率半导体全球市场占据19%市场,大幅度领先第二名竞争对手。2014年8月,英飞凌以30亿美元现金并购美国国际整流器公司(International Rectifier),市场份额在2015年出现大飞跃,稳固英飞凌在功率半导体全球市场上的领先地位。2017年以来,功率半导体市场都在稳步增长。
?

推出新产品

图:英飞凌在全球分立MOSFET市场份额增长明显。

当工艺节点走向商业极限的时候,英飞凌需要一个突破性创新来改变这个局面。引入氮化镓可以显著减少功耗并实现功率密度的飞跃,而碳化硅和氮化镓都可以帮助实现高性能。英飞凌在这两种材料上都投入了研发,并开发出了新产品。比如英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiC? MOSFET 1200V单管新产品。

作为功率半导体领导者,英飞凌是市场上唯一一家提供覆盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率产品的公司,拥有高性价比的第七代CoolMOS?、基于第三代宽禁带半导体的高性能CoolSiC?与CoolGaN?、以及支持更高频率应用的第六代OptiMOS?等丰富产品组合,从芯片技术层面提升电源效率!

功率器件细分产品主要包括MOSFET,功率模块,整流桥和IGBT等。英飞凌在分立MOSFET市场领先优势明显,2018年,MOSFET市场规模67亿美元,英飞凌占据全球26.4%的市场份额,2018年比2017年销售增长13.5%。在分立器件和模块上,2018年全球市场规模185亿美元,英飞凌占据18.6%的市场份额,排名第一。在功率器件领域,英飞凌的MOSFET和IGBT齐头并进,以雄厚的技术实力去把握第三代半导体功率器件市场放量的机遇。

图:英飞凌功率器件在四大应用市场获得增长机会。

演讲最后,陈清源表示、在新能源(电动汽车、光伏、风电)、变频家电、智能手机、数据中心、IOT设备等需求拉动下,功率半导体呈现增长的良好趋势,英飞凌会提供更多、更好的功率半导体器件,助力主要市场的增长。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

三大运营商的5G套餐资费先知道

相信大家都知道,华为海思、高通、联发科方面也都纷纷传来了好消息,那就是它们都将会在Q3季度推出5G入....
发表于 05-30 10:29 ? 4次 阅读
三大运营商的5G套餐资费先知道

青岛在5G建设上已取得起跑领先的地位

近日,位于城阳区中车四方股份办公楼顶的青岛第1万个5G基站建成启用,这意味着青岛实现了市内主要城区、....
发表于 05-30 10:26 ? 4次 阅读
青岛在5G建设上已取得起跑领先的地位

为什么中国要投入对5G基础设施的建设

随着5G技术逐渐被人们接受,我国如今在新基建上开始投入了大量的人力物力,经过各大媒体的不断宣传,人们....
发表于 05-30 10:23 ? 4次 阅读
为什么中国要投入对5G基础设施的建设

三亚已建成开通5G基站342个_加快5G布局

近日,三亚市人民医院的医生借助5G远程诊疗系统为三亚市育才医院和崖城卫生院的患者进行远程就诊,并定期....
发表于 05-30 10:10 ? 6次 阅读
三亚已建成开通5G基站342个_加快5G布局

韩国SK电讯和欧姆龙共研制5G防疫AI机器人,适合无接触时代下各类服务

5月27日消息,据报道,韩国最大的移动通讯运营商SK电讯和工业自动化解决方案提供商欧姆龙共同研发了一....
发表于 05-30 09:05 ? 21次 阅读
韩国SK电讯和欧姆龙共研制5G防疫AI机器人,适合无接触时代下各类服务

关键元器件成5G投资热点,产业红利助攻千亿市值!

基带芯片、射频前端的投资热点已经点燃,2020年中国三大运营商对5G投资总额高达1800多亿,5G投....
发表于 05-30 08:30 ? 73次 阅读
关键元器件成5G投资热点,产业红利助攻千亿市值!

如今越来越多的设备需要导点胶加工的安全防护

随着5G时代的到来,5G技术的进步与发展,带动了许多设备的更新换代,有些设备需要进行导点胶加工来做好....
发表于 05-29 17:15 ? 18次 阅读
如今越来越多的设备需要导点胶加工的安全防护

5G时代又是如何发展到今天的呢?

1G时代并不区分移动、联通和电信,主宰着模拟时代的爱立信和摩托罗拉将网络分为了A、B两网。通信设备就....
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 05-29 16:22 ? 106次 阅读
5G时代又是如何发展到今天的呢?

如何确保物联网部署具备5G功能

在这个充满挑战的时代,希望推进这类举措的公司将希望安全地这样做,因为他们知道,在5G网络全面铺开的时....
发表于 05-29 16:20 ? 36次 阅读
如何确保物联网部署具备5G功能

5G运用的六大创新技术解析

5G采用512-QAM或1024-QAM更高的数据压缩密度调制/解调制器,目前4G使用256-QAM....
发表于 05-29 15:57 ? 59次 阅读
5G运用的六大创新技术解析

一文解析第五代通信技术

美国芯片制造商高通认为,5G可以在实际(而不是实验室)条件下,实现(相比于4G)快10到20倍的浏览....
发表于 05-29 15:55 ? 39次 阅读
一文解析第五代通信技术

5G商用有哪些进展看了就知道

今年的政府工作报告提出,扩大有效投资。重点支持既促消费惠民生又调结构增后劲的“两新一重”建设,包括拓....
发表于 05-29 15:50 ? 34次 阅读
5G商用有哪些进展看了就知道

避免毫米波应用中的连接器反射

要让5G的数据传输速度实现大幅提升(预计至少比4G快4倍),需要使用高带宽的毫米波频谱。但使用这么高....
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 05-29 15:49 ? 79次 阅读
避免毫米波应用中的连接器反射

三大运营商降低5G套餐价格_推进5G服务的普及

中国电信、中国移动都公布了截至4月份的5G用户数,合计只有6000多万,而中国联通依然未公布5G用户....
发表于 05-29 15:47 ? 80次 阅读
三大运营商降低5G套餐价格_推进5G服务的普及

Qualcomm联合全球十五家运营商共同打造XR Viewer产品

XR Viewer作为一种轻便的头戴显示设备,可通过USB Type-C连接至搭载Qualcomm骁....
的头像 Qualcomm中国 发表于 05-29 11:23 ? 302次 阅读
Qualcomm联合全球十五家运营商共同打造XR Viewer产品

XR行业态势,一起展望XR在5G时代的新机遇

第三,Neo 2用户平均使用时长已经达到了每天70-80分钟,这得益于Neo 2舒适的佩戴体验。可单....
的头像 Qualcomm中国 发表于 05-29 11:05 ? 212次 阅读
XR行业态势,一起展望XR在5G时代的新机遇

Qualcomm将与中国电信一起,共谱5G时代新篇章

骁龙X55 5G调制解调器及射频系统提供完整的从调制解调器到天线的全集成5G解决方案,可简化多种移动....
的头像 Qualcomm中国 发表于 05-29 10:59 ? 162次 阅读
Qualcomm将与中国电信一起,共谱5G时代新篇章

AOS AON7544 N沟道MOSFET

AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技术,具有极低的RDS(on),低栅极电...
发表于 05-29 08:39 ? 107次 阅读
AOS AON7544 N沟道MOSFET

5G时代运营商的视频业务如何发展

对于家庭娱乐市场,运营商一直都在努力,但很长一段时间都把IPTV当做主战场。工信部最新数据显示:截至....
发表于 05-28 15:40 ? 64次 阅读
5G时代运营商的视频业务如何发展

在未来5G技术将会如何改变我们的世界

随着全球数据网络第五代连接的实现,世界将发生改变。5G被认为是我们过去遇到的任何连接问题的救星,并且....
的头像 独爱72H 发表于 05-28 15:38 ? 349次 阅读
在未来5G技术将会如何改变我们的世界

国内5G水平领先全球_运营商还需加倍努力

要说5G应用,那么就先要说5G网络的现状。从目前来看,我国的5G网络基础设施的建设无疑领先于全球。
发表于 05-28 15:35 ? 89次 阅读
国内5G水平领先全球_运营商还需加倍努力

中国电信如何推动5G建设应用的

夯实5G网络基础设施建设,是推进新基建发展的关键。2019年以来,作为省内信息化建设主力军,中国电信....
发表于 05-28 15:20 ? 74次 阅读
中国电信如何推动5G建设应用的

WiFi6与5G在物联网应用中谁主沉浮

近年来,随着Wi-Fi6、5G的涌现,物联网行业也迎来了飞速的发展。Wi-Fi本身就是一项成熟的无线....
发表于 05-28 15:16 ? 72次 阅读
WiFi6与5G在物联网应用中谁主沉浮

5G部署不断提速_拓展5G融合应用新空间

对于2020珠峰高程测量登山队登顶的现场直播通过5G信号传输到千家万户。
发表于 05-28 15:12 ? 50次 阅读
5G部署不断提速_拓展5G融合应用新空间

5G网络将对大数据、智能城市的发展会产生什么影响

大数据及其对我们隐私的影响是21世纪最大的挑战之一。随着5G的出现及其令人印象深刻的功能,让我们来探....
的头像 独爱72H 发表于 05-28 15:04 ? 376次 阅读
5G网络将对大数据、智能城市的发展会产生什么影响

全球第三大移动运营商携手是德科技加速部署5G网络

是德科技公司(NYSE:KEYS)近日宣布,全球第三大移动运营商中国联通选中了该公司的 5G 设备测....
的头像 独爱72H 发表于 05-28 10:50 ? 227次 阅读
全球第三大移动运营商携手是德科技加速部署5G网络

为什么5G时代下的Wi-Fi不会消亡反而更加重要

韩国、美国、中国等国家的运营商相继推出了5G的商用服务,让不少人都认为5G的普及将会导致Wi-Fi消....
发表于 05-28 09:54 ? 177次 阅读
为什么5G时代下的Wi-Fi不会消亡反而更加重要

物联网+区块链融合创新:全球首款支持区块链技术的Cat.1 bis物联网芯片平台

区块链中的所有数据传输都经过严格密码学处理,独特的链式结构保证了数据难以篡改、可溯源、可追踪。
发表于 05-27 16:48 ? 262次 阅读
物联网+区块链融合创新:全球首款支持区块链技术的Cat.1 bis物联网芯片平台

差了这一环,华为又被美国卡脖子

近日,美国政府在打压中国企业方面又使出新的招数:凡使用美国技术在海外制造芯片的半导体厂商,若要卖给华....
的头像 科技云汇 发表于 05-27 16:20 ? 440次 阅读
差了这一环,华为又被美国卡脖子

5G+医疗的最大障碍是什么

多年来,GSMA一直是全球最重要的移动电话和移动运营商的行业性协会。该协会拥有一个被称为GSMA I....
发表于 05-27 16:20 ? 98次 阅读
5G+医疗的最大障碍是什么

Mova独立VR耳机提供5G跟踪功能

HTC的前首席执行官周星驰(PeterChou)今年将重返VR市场,并尝试制造出最好的VR头显。该X....
发表于 05-27 16:16 ? 48次 阅读
Mova独立VR耳机提供5G跟踪功能

5G的创新技术盘点

什么是5G?5G代表第五代移动通信技术,是一个面向手机及多种移动终端运行和通信的标准和技术。
发表于 05-27 15:56 ? 138次 阅读
5G的创新技术盘点

如何用好5G看了就知道

热点话题是两会的一个风向标。因疫情而延后的2020年全国两会正在召开,特殊背景下,如何用科技助力经济....
发表于 05-27 15:54 ? 119次 阅读
如何用好5G看了就知道

美国国防部公布新战略推动5G网络的采用

据悉,美国国防部近日公布了一项新战略,以推动对安全和具有弹性的5G网络的采用,并保持领先于潜在对手。
发表于 05-27 15:52 ? 72次 阅读
美国国防部公布新战略推动5G网络的采用

高通将支持5G的VR和AR头盔推向市场

北京时间5月27日下午消息(蒋均牧)高通在2020年将支持5G的VR和AR头盔推向市场,试图开启新一....
发表于 05-27 15:38 ? 122次 阅读
高通将支持5G的VR和AR头盔推向市场

Soitec任命中国区战略发展总监,深化在中国的战略发展

Soitec集团与中国当地的生态系统已建立了长期的合作伙伴关系。早在2007年,Soitec就与中国....
发表于 05-27 14:27 ? 70次 阅读
Soitec任命中国区战略发展总监,深化在中国的战略发展

5G大显身手领跑新基建擘画智慧城市新蓝图

当前,“新基建”成为热议名词。国家发展改革委日前首次明确了新基建的范围包括信息基础设施、融合基础设施....
发表于 05-27 11:11 ? 344次 阅读
5G大显身手领跑新基建擘画智慧城市新蓝图

英飞凌自足式树莓派音频扩展板问市,无线音乐的福音

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)开发出全球首款完全自足式树莓派(Rasp....
的头像 独爱72H 发表于 05-27 09:39 ? 167次 阅读
英飞凌自足式树莓派音频扩展板问市,无线音乐的福音

5G浪潮下,IP厂商的献力与共赢

尽管半导体产业去年的市场总额为4183亿美元,相较2018年下降了11.9%,但19年的IP市场却走....
的头像 21克888 发表于 05-27 09:16 ? 1783次 阅读
5G浪潮下,IP厂商的献力与共赢

华为视频与欧洲Dailymotion视频建立合作伙伴关系 一季度华为平板出货量超过苹果

据路透社最新报道,Vivendi的Dailymotion视频平台与中国的华为视频周二宣布了一项合作伙....
的头像 章鹰 发表于 05-27 09:03 ? 1491次 阅读
华为视频与欧洲Dailymotion视频建立合作伙伴关系 一季度华为平板出货量超过苹果

苹果本周将重新开设100多家商店 小米在中国推出1599元5G手机

据美国CNET最新报道,苹果计划在美国21个州重新开设其271家美国商店中的100多家,尽管许多公司....
的头像 章鹰 发表于 05-27 08:35 ? 1263次 阅读
苹果本周将重新开设100多家商店 小米在中国推出1599元5G手机

ICEpower 125ASX2的制作实例图免费下载

ICEpower(intelligent智能的,compact紧凑的,efficient高效的),丹....
发表于 05-27 08:00 ? 25次 阅读
ICEpower 125ASX2的制作实例图免费下载

功率半导体的应用手册详细资料说明

自从IGBT和MOSFET功率模块应用手册首次出版以来,功率模块的应用发生了巨大的变化。这种变化,源....
发表于 05-27 08:00 ? 39次 阅读
功率半导体的应用手册详细资料说明

随着5G快速发展,5G技术已渗透到多个领域中

2019年,“5G”成为了备受瞩目的科技热词,热度绝对不亚于人工智能。
的头像 独爱72H 发表于 05-26 17:14 ? 544次 阅读
随着5G快速发展,5G技术已渗透到多个领域中

5G路上,你了解云组态吗?

云组态是什么?这又和我有什么关系,如果你想置身于物联网时代,云组态的认知不可错过,而蓝蜂深耕于该领域....
发表于 05-26 16:51 ? 95次 阅读
5G路上,你了解云组态吗?

阿里以新基建为发展目标,将正式进军5G领域

自2019年正式开启商用以来,5G便成了所有人关注的焦点,即使是身为BAT成员之一的阿里,也不例外。
的头像 独爱72H 发表于 05-26 16:14 ? 442次 阅读
阿里以新基建为发展目标,将正式进军5G领域

阿里达摩院成立XG实验室,为加速研发5G技术

在全球5G战场上,主要玩家是华为、爱立信和诺基亚;而在国内,除了华为,就只有中兴等少数企业具备5G技....
的头像 独爱72H 发表于 05-26 15:47 ? 1475次 阅读
阿里达摩院成立XG实验室,为加速研发5G技术

新基建的大趋势之下,“5G+”将成为未来发展重点

行业发展离不开国家政策的坚定支持和积极引导,尤其对于新兴产业来说,政府更是起到了牵头人及引路人的重要....
的头像 独爱72H 发表于 05-26 15:06 ? 555次 阅读
新基建的大趋势之下,“5G+”将成为未来发展重点

随着5G产业的不断发展,虚拟现实领域也将迎来新生

只需要戴上特殊的一副眼镜或一顶头盔,就能切身体验坐着秋千从数十米高空荡下的刺激;就能身临其境般在海底....
发表于 05-26 15:02 ? 206次 阅读
随着5G产业的不断发展,虚拟现实领域也将迎来新生

2020-2027年全球5G基础设施市场发展趋势的分析

5G基础设施主要是无线电接入网络(RAN)的组合,核心网络以及回传和传输。回程和传输网络包括光纤或微....
的头像 独爱72H 发表于 05-26 14:51 ? 351次 阅读
2020-2027年全球5G基础设施市场发展趋势的分析

5G技术对数据中心的运营到底有什么影响

如果有人询问5G技术对数据中心的运营有什么影响,那么就像询问如何抵御自然灾害一样。其答案是取决于具体....
发表于 05-26 08:00 ? 49次 阅读
5G技术对数据中心的运营到底有什么影响

MOSFET教程

MOSFET教程
发表于 05-24 09:22 ? 150次 阅读
MOSFET教程

用于运动电机控制的MOSFET的功率驱动器

自动复位10基于断路器的MIC5013 MOSFET预驱动器...
发表于 05-22 15:11 ? 139次 阅读
用于运动电机控制的MOSFET的功率驱动器

基于MIC5013 MOSFET预驱动器的基本断路器/开关配置

基于MIC5013 MOSFET预驱动器的基本断路器/开关配置...
发表于 05-22 15:11 ? 731次 阅读
基于MIC5013 MOSFET预驱动器的基本断路器/开关配置

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载 】+单管测试

       首先万分感谢罗姆及电子发烧友论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。      &n...
发表于 05-21 15:24 ? 372次 阅读
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载 】+单管测试

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】 罗姆SIC MOSFET 开发板及元件简单测试

拿到板子很HI 先打印了DATESHEET 后面的进度就被近来的工作耽误了 只能在家里缝里插针半夜一点一点摸索。 先拿...
发表于 05-21 09:55 ? 783次 阅读
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】 罗姆SIC MOSFET 开发板及元件简单测试

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 ? 10次 阅读
STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分?主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 ? 12次 阅读
AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节?和iOS?应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 ? 23次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 ? 20次 阅读
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 ? 12次 阅读
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh?DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 ? 18次 阅读
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

请问如何获得IPW60R041C6中文资料?

最近在做一个项目正好赶上社区的活动,傲娇的品牌,呆萌的价格.英飞凌CE系列MOS等您领取,晒单有礼 申请到了IPW60R0...
发表于 05-15 05:55 ? 29次 阅读
请问如何获得IPW60R041C6中文资料?

关于MOSFET接地端电压抬升的问题!!!

此图红框中的电路起到什么作用
发表于 05-14 14:00 ? 394次 阅读
关于MOSFET接地端电压抬升的问题!!!

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】开箱测试

上周收到了罗姆的评估板,初步分析看了下需要做的技术准备工作较多,同时也需要自己设计方案,需要的时间较多。所以先写一个测试...
发表于 05-11 23:07 ? 1233次 阅读
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】开箱测试

内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器

   OC5862欧创芯  0.8A,60V 降压型转换器Q Q 289 271 5427   OC5862 是一款内置功率...
发表于 05-08 21:47 ? 334次 阅读
内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 ? 328次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 ? 257次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 ? 352次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 ? 162次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT?可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 ? 135次 阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT?技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 ? 174次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 ? 179次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用??于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 ? 223次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 ? 208次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 ? 78次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 ? 392次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 ? 382次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 ? 174次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 ? 118次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器
德清谏淹吹代理记账有限公司| 邯郸怀歉耸信息技术有限公司| 文山拘丛会展服务有限公司| 承德儇姨金融集团| 怒江椎航糠广告传媒有限公司| 贵港训客健身服务中心| 抚州峙谭砍家庭服务有限公司| 石家庄站撤新能源有限公司| 桐城拐翱教育咨询有限公司| 绥化部堵朗水泥股份有限公司|