1969 年起,富士通开始提供存储器,至今已走过了 46 个年头。现在 ,富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性存储器“FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)”。FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领 域。近年来,还被应用于可穿戴设备、工业机器人以及无人机中。以下相关产品资料可供下载。

FRAM 产品特性

FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相 比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

FRAM 产品阵容

串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外,正在扩充1.8V工作产品。封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用SON(Small Outline Non-leadedpackage)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封装形式的产品。
同时,使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中,并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

FRAM 产品系列

FRAM产品可分为两个系列。
分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI 以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。 另外,根据客户的要求,开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定 制LSI。

串行接口存储器

串行接口存储器的产品阵容有4Kbit至1Mbit的I2C接口产品,以及16Kbit至4Mbit的SPI接口产品。
电源电压除主要的3.3V工作产品外,正在扩充1.8V工作产品。封装除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用SON(Small Outline Non-leaded package)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封装产品。与其他非易失性存储器相比,串行接口存储器的优势在于写入快、读写耐久性高、功耗低。

I2C 接口

产品型号P/N 内存容量 输入电压 工作频率
(MAX)
工作温度 读写耐久性
(读写次数)
数据保持时间
(保证值)(*1)
封装类别 文档下载
MB85RC1MT 1Mbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC512T 512Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC256V 256Kbit 2.7至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC128A 128Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC64TA 64Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8/SON-8
MB85RC64A 64Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC64V 64Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC16 16Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8/SON-8
MB85RC16V 16Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC04V 4Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
*1:当工作温度低于+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。

SPI 接口

产品型号P/N 内存容量 输入电压 工作频率 (MAX) 工作温度 读写耐久性
(读写次数)
数据保持时间
(保证值)(*1)
封装类别 文档下载
MB85RQ4ML
(*2)
4Mbit 1.7至1.95V 108MHz -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-16
MB85RS2MT 2Mbit 1.8至3.6V 25MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8/DIP-8
MB85RS1MT 1Mbit 1.8至3.6V 30MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8/WL-CSP-8
MB85RS512T 512Kbit 1.8至3.6V 30MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS256B 256Kbit 2.7至3.6V 33MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS128B 128Kbit 2.7至3.6V 33MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS64 64Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS64V 64Kbit 3.0至5.5V 20MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS16 16Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS16N 16Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+95℃ 1万亿次(+85℃)
或1百亿次(+95℃)
10年(+95℃) SOP-8/SON-8
MB85RDP16LX
(*4)
16Kbit 1.65至1.95V 15MHz(*5) -40至+105℃ 1013(10万亿次) 10年(+105℃) SON-8
*1:当工作温度低于+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。
*2:满足SPI以及Quad
*3:高速读取模式时,可实现最大40MHz操作。
*4:有二进制计数器功能
*5:双SPI模式时,可实现最大7.5MHz操作。

并行接口存储器

并行接口存储器为采用TSOP或SOP封装的256Kbit至4Mbit的产品,工作时的电源电压为3.3V,但MB85R4M2T能够在1.8V-3.6V的大 范围内进行工作。
封装方式为能够与SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用数据保持电池的应用中,并行接口存储器被作为进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

产品型号P/N 内存容量 输入电压 工作频率
(MAX)
工作温度 读写耐久性
(读写次数)
数据保持时间
(保证值)(*1)
封装类别 文档下载
MB85R4M2T 4Mbit(256K×16) 1.8至3.6V 150ns -40至+85℃ 1013(10万亿次) 10年(+85℃) TSOP-44
MB85R4001A 4Mbit(512K×8) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百亿次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R4002A 4Mbit(256K×16) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百亿次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R1001A 1Mbit(128K×8) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百亿次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R1002A 1Mbit(64K×16) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百亿次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R256F 256Kbit(32K×8) 2.7至3.6V 150ns -40至+85℃ 1012(1万亿次) 10年(+85℃) TSOP-28/SOP-28
*1:当工作温度低于+55℃或+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。

封装尺寸

串行接口存储器
封装类型 顶视图 宽度×长度
(mm)
高度
(mm)
WL-CSP-8 2.3×3.1 0.33
SON-8 2.0×3.0 0.7
SOP-8 3.9×5.1 1.75
SOP-16 7.5×10.3 2.7
并行接口存储器
封装类型 顶视图 宽度×长度
(mm)
高度
(mm)
SOP-28 7.6×17.8 2.8
TSOP-28 8.0×11.8 1.2
TSOP-44 10.2×18.4 1.2
TSOP-48 12.0×12.4 1.2

FRAM 产品高技术能力证明

富士通公司自1995年开始开发FRAM,具有17年以上的丰富的量产业绩。正是“量产化”的实现以及持续的稳定供给,证明本公司具有非常高的技术能力。

分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI 以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。 另外,根据客户的要求,开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM中使用了铁电,而在此之前的半导体过程中,铁电会出现劣化,所以很难实现量产。本公司确定了劣化的原因,并在制造过程中采取了相应的措施,最终在世界上率先成功实现了量产。公司开发的量产实现技术以及FRAM产品对社会的贡献已得到认可,2011年以后也获得了多个权威奖项。今后,我们也将致力于稳定供应由高技术能力支撑的高质量存储器。

FRAM 销售公司

富士通电子元器件(上海)有限公司

上海市黄浦区蒙自路歌斐中心6楼03-05单元 邮编:200023 电话: 021-6146 3688

深圳:0755-2583 0028 | 北京:010-5969 1600 | 大连:0411-3999 0600 | 武汉:13419692700 | 重庆:18580310515

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